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                      • WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量?jì)x

                        WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測量?jì)x 德國WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料(結構,層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。 電化學(xué)ECV剖面濃度測試儀主要用于半導體材料的研究及開(kāi)發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測量半導體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(

                        更新時(shí)間:2020-11-01

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                      • 掃描開(kāi)爾文探針

                        開(kāi)爾文探針(Kelvin Probe)是一種非接觸無(wú)損震蕩電容裝置,用于測量導體材料的功函數(Work Function)或半導體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數通常由上層的1-3層原子或分子決定,所以開(kāi)爾文探針是一種的表面分析技術(shù)。主要型號:KP020 (單點(diǎn)開(kāi)爾文探針),SKP5050(掃描開(kāi)爾文探針)。

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                      • 光學(xué)薄膜測厚儀

                        光學(xué)薄膜測厚儀 薄膜表面或界面的反射光會(huì )與從基底的反射光相干涉,干涉的發(fā)生與膜厚及折光系數等有關(guān),因此可通過(guò)計算得到薄膜的厚度。光干涉法是一種無(wú)損、且快速的光學(xué)薄膜厚度測量技術(shù),我們的薄膜測量系統采用光干涉原

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